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          SOI芯片光電探測器陣列

          更新時間:2023-08-03      點擊次數:1460

          SOI芯片光電探測器陣列

          SOI Chip-based Photodetector Array

          SOI芯片式光電探測器陣列,該產品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。


          〖特性Features

          n 多通道

          Multi-channels

          n 高集成度芯片化

          Chip based

          n 大模擬帶寬

          Large electrical bandwidth

          〖應用Applications〗

          n 光纖傳感

          Optical fiber sensor

          n 光纖通信

          Optical fiber communications

          n 激光雷達

          LiDAR system

          〖性能指標Specifications〗

          參數指標

          Parameters

          單位

          Unit

          最小值

          Min.

          典型值

          Typ.

          最大值

          Max.

          備注

          Notes

          波長范圍

          Wavelength range

          nm

          1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

          暗電流

          Dark current

          nA

          35


          50


          3 dB模擬帶寬

          3 dB bandwidth

          GHz



          28


          光飽和功率

          Optical saturation power

          mW

          10




          響應度

          Responsibility

          A/W

          0.8


          0.85


          90度光學混頻器損耗

          90°mixer loss

          dB

          6

          6.5

          6.7


          90度光學混頻器相位失衡度

          90°mixer phase unbalance

          °

          5




          通道數

          Number of channels


          8或可定制

          8 or Can be customized


          光纖接入損耗

          Insertion loss

          dB

          ≤0.5


          偏振相關損耗

          PDL

          dB

          ≤0.3


          工作溫度范圍

          Operating temperature range

          °C

          -20


          50


          工作濕度范圍

          Operating humidity range

          %



          +65


          芯片尺寸

          Chip Dimensions

          mm

          4(L)×5(W)×0.5(H)




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