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          高速SOI光電探測器芯片

          簡要描述:高速SOI光電探測器芯片,該產品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

          • 產品型號:ZG
          • 廠商性質:生產廠家
          • 更新時間:2025-05-10
          • 訪  問  量:1666

          詳細介紹

          品牌梓冠

          SOI芯片光電探測器陣列-混頻光電探測器陣列


          SOI芯片式光電探測器陣列,該產品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

          SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列特性

          • 多通道

          • 高集成度芯片化

          • 大模擬帶寬

          SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列應用領域

          • 光纖傳感

          • 光纖通信

          • 激光雷達

          SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列規格參數

              參數指標單位最小值典型值最大值
              波長范圍
          nm
          1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
              暗電流
          nA


          30@-1V,
              3dB 模擬帶寬
          GHz


          30@-2V
              光飽和功率
          mW
          10


              響應度
          A/W
          0.8


              90度光學混頻器損耗
          dB
          66.56.7
              90度光學混頻器相位失衡度
          °
          5

              通道數

          1,2,3,4,5 或可定制
              光纖接入損耗
          dB
          ≤1.5
              偏振相關損耗
          dB
          ≤0.5
              工作溫度范圍

          -20
          50
              工作濕度范圍
          %


          +65
              芯片尺寸
          mm

          陣列式光電探測器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH

          陣列式混頻探測器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH

          4 通道混頻探測器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H)


          SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列芯片尺寸

          高速SOI光電探測器芯片


          高速SOI光電探測器芯片


          四川梓冠光電SOI芯片光電探測器陣列訂貨信息

          ZG波長
          通道數
          類型
          13=1310nm
          15=1550nm
          1=1CH
          4=4CH
          8=8CH
          16=CH
          48=48CH
          XX=other
          1=光電探測器
          1=PD
          2=混頻器
          2=Mixer
          XX=other

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