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          SOI芯片光延時線

          簡要描述:SOI芯片光延時線 具有多通道、高集成度芯片化、高速響應等特點,主要應用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領域

          • 產品型號:ZG
          • 廠商性質:生產廠家
          • 更新時間:2025-05-10
          • 訪  問  量:1278

          詳細介紹

          品牌梓冠

          SOI芯片光延時線

          一、SOI芯片光延時線的定義
          SOI芯片式低偏振相關損耗可調光延時線,該產品基于級聯的高速光開關和延時光路組成,實現大量程、高精度量化可調光延時線的片上集成,本產品通過創新設計實現了超低偏振相關性損耗,芯片尺寸小,集成度高,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
          二、SOI芯片光延時線的特點
          多通道
          高集成度芯片化
          高速響應
          三、SOI芯片光延時線的應用
          光纖傳感
          光纖通信
          激光雷達

          四、SOI芯片光延時線的性能指標

              參數指標
          單位最小值典型值最大值
              波長范圍
          nm
          1530nm-1570nm  or  1270nm-1330nm
              單級熱調功耗
          mW


          100
              單級電調功耗
          mW


          10
              光纖接入損耗
          dB


          12@9 bit
              偏振相關損耗
          dB


          0.5
              延時量精度
          ps


          30@2048 pS
              延遲步進
          ps
          2
              平坦度
          dB
          <0.5 dB@2048 pS
              響應速率
          Hz
          >20kHz@熱調試模式,>10MHz@電調模式
              最大延時量
          ps
          1024/2048 或可定制
              延時量量化位數
          bit
          10或可定制
              通道數

          1或可定制
              工作溫度范圍

          -20

          50
              工作濕度范圍
          %


          +65
              芯片尺寸
          mm
          8.1(L)x2.3(W)x0.5(H)

          五、SOI芯片光延時線的芯片尺寸

          SOI芯片光延時線

          六、四川梓冠光電

          SOI芯片光延時線

          訂貨信息

          波長類型通道數
          13=1310nm
          15=1550nm
          10-2048=10 bit,2048 ps
          XX=other
          1=1CH,4=4CH,8=8CH,16=CH
          48=48CH,XX=0ther



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          地址:四川省綿陽市經開區電子制造產業園16棟3樓
          郵箱:zgziguan@foxmail.com
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