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  • ZG6 比特硅基光延遲芯片
    ZG6 比特硅基光延遲芯片

    更新時(shí)間:2025-05-10

    型號(hào):ZG

    瀏覽量:1358

    6 比特硅基光延遲芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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  • ZGSOI芯片光延時(shí)線
    ZGSOI芯片光延時(shí)線

    更新時(shí)間:2025-05-10

    型號(hào):ZG

    瀏覽量:1278

    SOI芯片光延時(shí)線 具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點(diǎn),主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域
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  • ZG硅基光延時(shí)芯片超小尺寸
    ZG硅基光延時(shí)芯片超小尺寸

    更新時(shí)間:2025-05-10

    型號(hào):ZG

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    硅基光延時(shí)芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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  • ZG硅基6 位可調(diào)光延時(shí)芯片
    ZG硅基6 位可調(diào)光延時(shí)芯片

    更新時(shí)間:2025-05-10

    型號(hào):ZG

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    硅基6 位可調(diào)光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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  • ZG硅基6 位光延時(shí)芯片
    ZG硅基6 位光延時(shí)芯片

    更新時(shí)間:2025-05-10

    型號(hào):ZG

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    硅基6 位光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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  • ZGSOI高速光開關(guān)芯片
    ZGSOI高速光開關(guān)芯片

    更新時(shí)間:2025-02-17

    型號(hào):ZG

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    SOI高速光開關(guān)芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換,實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動(dòng),偏振相關(guān)性小,插入損耗低
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  • 梓冠高精度7bit 光延時(shí)器芯片
    梓冠高精度7bit 光延時(shí)器芯片

    更新時(shí)間:2025-05-10

    型號(hào):梓冠

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    高精度7bit 光延時(shí)器芯片切換將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
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  • 梓冠7bit 光延時(shí)器芯片
    梓冠7bit 光延時(shí)器芯片

    更新時(shí)間:2025-05-10

    型號(hào):梓冠

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    7bit 光延時(shí)器芯片切換將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
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